手機主板
工藝展示
| 層數 | 10L |
| 產品結構 | 2+6+2 |
| 板厚 | 0.7mm |
| 材料 | EM-285 |
| 線寬/線距 | 0.05/0.05mm |
| 最小激光鉆孔孔徑 | 0.1mm |
| 表面處理 | 沉金+OSP |
HDI作為高密度互連技術的核心載體，專注于解決電子設備微型化與高性能化的互聯需求。其通過微盲孔、40/40μm精細線路及疊孔（Stack via）、填孔（Copper fill）等工藝實現超高密度布線，使元器件在緊湊空間內達到最優布局。該技術具備任意層互連（ELIC）、高縱橫比微孔加工及卓越信號完整性控制能力，可有效提升高頻性能并減少干擾。江門二廠已成功開發10L/12L ELIC、2+N+N+2、4+N+4等先進結構，廣泛應用于智能手機、高端穿戴設備及醫療微系統等領域，持續推動電子產品向輕薄化、多功能化發展。
工藝展示
| 層數 | 10L |
| 產品結構 | 2+6+2 |
| 板厚 | 0.7mm |
| 材料 | EM-285 |
| 線寬/線距 | 0.05/0.05mm |
| 最小激光鉆孔孔徑 | 0.1mm |
| 表面處理 | 沉金+OSP |
工藝展示
| 層數 | 12L Anylayer |
| 板材 | EM-390無鹵素 |
| 板厚 | 0.8±0.08 mm |
| 線寬/線距 | 0.04/0.05mm |
| 鐳射孔徑 | 0.075mm |
| 表面處理 | 沉鎳金+抗氧化 |
工藝展示
| 層數 | 12L BU5 5階(Anylayer) |
| 板材 | EM-526 |
| 板厚 | 0.94+/-0.10mm |
| 線寬/線距 | 0.05/0.05mm |
| 最小孔徑 | 0.1mm |
| 表面處理 | 沉鎳金 |
工藝展示
| 層數 | 10L(2+6+2） |
| 板材 | NY-3170M |
| 板厚 | 0.8mm |
| 線寬/線距 | 0.06/0.06mm |
| 鐳射孔徑 | 0.1mm |
| 表面處理 | OSP |
工藝展示
| 層數 | 12L( 4+4+4) |
| 板厚 | 1.2+/-0.12mm |
| 材料 | EM-390 |
| 線寬/間距 | 0.06/0.06mm |
| 鐳射孔徑 | 0.1mm |
| 表面處理 | ENIG |
江門二廠產品主要應用于手機、平板和LED等領域
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